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美光科技和英特尔 NAND 存储联合开发计划的最新动态

2018/1/10 11:16:44


美国爱达荷州博伊西和加利福尼亚州圣克拉拉,2018 年 1 月 8 日——美光科技和英特尔今日发布了双方 NAND 存储联合开发计划的最新动态。这段成功的合作关系已帮助两家公司开发出行业领先的 NAND 技术并顺利推向市场。

此次发布内容包括两家公司商定将各自独立开发新世代 3D NAND 技术。双方同意共同完成第三代 3D NAND 技术的开发,该技术将在 2018 年末交付,并持续到 2019 年初。在此技术节点之后,两家公司将独立开发 3D NAND 技术,针对各自的业务需求更好地优化技术和产品。

美光科技和英特尔均预期各自未来的 3D NAND 技术节点开发步调不会发生改变。两家公司目前正量产以第二代 3D NAND(64 层)技术为基础的产品。

双方仍将继续在位于犹他州李海的 Intel-Micron Flash Technologies (IMFT) 合资工厂联合开发和制造 3D XPoint™ 产品,该工厂现已完全专注于 3D XPoint 存储的生产。 

“美光与英特尔的合作由来已久,我们期待在未来各自进行 NAND 开发的同时继续就其他项目与英特尔合作。”美光科技技术开发执行副总裁 Scott DeBoer 说,“我们3D NAND 技术的开发路线图非常稳固,计划在我们业界领先的 3D NAND 技术基础上,将极具竞争力的产品推向市场。”

“英特尔和美光科技建立了成功的长期合作关系,令双方受益匪浅。现在,NAND 开发合作关系已经发展到了适当阶段,是时候让两家公司致力于各自专注的市场。”英特尔非易失性存储解决方案部门高级副总裁兼总经理 Rob Crooke 说,“我们的 3D NAND 和 Optane™ 技术路线图为客户应对当下的众多计算和存储需求提供了强大的解决方案。”

 

关于美光

美光科技是创新内存和存储解决方案领域的全球领导者。通过旗下全球性品牌 Micron®(美光)、Crucial®(英睿达)和 Ballistix®(铂胜),美光丰富的高性能内存和存储技术组合——包括 DRAM、NAND、NOR Flash 和 3D XPoint™ 存储,正通过改变世界使用信息的方式来丰富生活。凭借近 40 年的技术领军地位,美光的存储解决方案帮助颠覆性趋势在诸如云、数据中心、网络和移动等重要市场中的实现,这些趋势包括人工智能、机器学习和自动驾驶。美光科技的普通股在纳斯达克上市交易,股票代码是 MU。如需了解美光科技有限公司的更多信息,请访问 micron.com。

 

关于英特尔

英特尔(纳斯达克股票代码:INTC)拓展技术边界,让非凡体验成为可能。如需了解英特尔的更多信息,请访问 newsroom.intel.com 和 intel.com。




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