供给端—氮化镓产值逆势增长

氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙(direct  bandgap)的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中。

在GaN电力电子产线方面，截至2020年底，我国已有7条GaN-on-Si晶圆制造产线，另有约4条GaN电力电子产线正在建设。

GaN射频产线方面，截至2020年底，我国有5条4英寸GaN-on-SiC生产线，约有5条GaN射频产线正在建设。

根据CASA  Research数据显示，在GaN电力电子方面，GaN-on-Si外延片折算6英寸产能约为28万片/年，GaN-on-Si器件/模块折算6英寸产能约为22万片/年。

在GaN微波射频方面，SiC半绝缘衬底折算4英寸产能约为18万片/年，GaN-on-SiC外延片折算4英寸产能约为20万片/年，GaN-on-SiC器件/模块折算4英寸产能约为16万片/年。2020年，新能源汽车、PD快充、5G等下游应用市场增长超预期，国内现有产品商业化供给无法满足市场需求，尤其是SiC电力电子和GaN射频存在较大缺口。这也导致我国第三代半导体各环节国产化率较低，超过八成的产品依赖进口。

在国内大半导体产业增长乏力的大背景下，我国第三代半导体产业实现逆势增长。根据CASA的统计，2020年我国SiC、GaN电子电力和GaN微波射频产值合计达到105.5亿元，同比增长69.61%。

需求端—国防领域为氮化镓射频器件主要需求领域

目前，GaN主要应用在射频及快充领域。SiC重点应用于新能源汽车和充电桩领域。我国作为全球最大的新能源汽车市场，随着下游特斯拉等品牌开始大量推进SiC解决方案，国内的厂商也快速跟进，以比亚迪为代表的整车厂商开始全方位布局，推动第三代半导体器件的在汽车领域加速。笫三代半导体器件在充电桩领域的渗透快于整车市场，主要应用是直流充电。

(注：电网、风力发电市场占比不足1%，未在图中显示)

国防军事与航天应用是我国GaN微波射频器件的主要应用领域，2020年市场规模占整个GaN射频器件市场的53%;其次是无线基础设施，下游市场占比为36%。

本文核心数据：GaN晶圆制造产线汇总、氮化镓(GaN)产能、SiC、GaN电子电力和GaN微波射频产值、SiC、GaN电力电子器件下游应用领域