来源：综合网络 

近日，比利时微电子研究中心imec宣布，在其与ASML合作的High-NA EUV光刻实验室首次成功利用0.55NA的High-NA EUV光刻机曝光了逻辑和DRAM的图案结构。

Left: 9.5nm random logic structure (19nm pitch) after pattern transfer
Right: Random vias with a 30nm center-to-center distance with excellent pattern fdelity and critical dimension uniformity

据介绍，imec 使用9.5nm密集金属线，实现了单曝光随机逻辑结构的图案化，对应于19nm pitch，将端到端间距尺寸降低至20nm以下。这足以使用单个High-NA曝光在1.4nm工艺技术上构建逻辑。

不仅如此，Imec还成功创建了中心间距为30nm的随机通孔，并具有良好的图案保真度和临界尺寸均匀性。此外，在P22nm的间距上形成的2D特征表现出了出色的性能，这足以用于3nm工艺节点的制造过程。

Left: 2D features at a P22nm pitch exhibited outstanding performance
Right: lmec demonstrates an integration of the storage node landing pad with the bit line periphery for DRAM

除了逻辑结构之外，imec在单次曝光中成功设计了将DRAM的存储节点着陆垫（Storage Node Landing Pad，SNLP）与位线外围集成在一起的设计，强调了High-NA技术减少曝光次数的潜力。

Imec总裁兼首席执行官Luc Van den Hove表示：“这些结果证实了高NA EUV光刻技术具备预测中的高分辨率能力，能够在一次曝光中实现20纳米间距以下的金属层图形化。因此，高NA EUV将成为推动逻辑与存储技术缩放至‘埃时代’的关键支柱之一。”

在DRAM布局方面，Imec开发的模式设计已成功实现了一次曝光将存储节点接触点与位线外围集成在一起，周期为较大的32纳米。这一突破展示了高NA技术能够取代多重掩模层，实现更简化的制造工艺，缩短周期时间并降低成本。

这次成功离不开ASML、Imec及其合作伙伴对材料和工艺的优化。准备工作包括开发先进的光刻胶、抗蚀剂、底层和掩膜，并将高NA EUV的基线工艺如光学接近校正（OPC）和集成图像化及蚀刻技术转移到0.55NA EUV光刻机上。

这些结果表明，高NA EUV光刻生态系统已经成熟，并为ASML的客户提供了开发专用用例的清晰路径。Imec计划进一步分享见解，以支持高NA EUV技术的材料和设备成熟，确保这项技术顺利集成到未来的制造过程中。

imec使用最新High-NA EUV取得芯片制造突破

全球顶级半导体研发公司之一的比利时微电子研究中心（imec）宣布，其与ASML的联合实验室在芯片制造方面取得多项突破。该实验使用的是ASML最新的高数值孔径极紫外光曝光机（High-NA EUV），该设备价值高达3.5亿欧元（3.82亿美元）。

imec表示，透过ASML先进设备 High-NA EUV，已成功单次刻印出逻辑芯片和内存芯片的电路，其尺寸一样小或小于目前商业生产中最先进的电路。

这一进展表明，领先的芯片制造商能够按照计划在未来几年内使用ASML最新设备制造出更小、运算速度更快的芯片。

imec 首席执行官范登霍夫（Luc Van den hove）声明表示：「High-NA EUV对逻辑和内存技术的持续发展起到重要作用。」

imec 指出，芯片制造过程其余部分所需的许多其他化学品和工具也在该次测试内，而且似乎适合商业生产。

高数值孔径极紫外光曝光机有步骤更少且能刻印出更小电路，能替芯片制造商节省资金，还能证明该设备昂贵的价格是合理的。

英特尔将采购首批两台高数值孔径极紫外光曝光机，第三台预估将于今年晚些时候交付给替英伟达和苹果生产芯片的台积电。三星电子、SK 海力士、美光等半导体企业也订购了高数值孔径极紫外光曝光机。

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