计算光刻作为现代芯片制造光刻环节的核心技术之一，其发展经历了从规则导向到模型驱动的转变。然而，随着制程迈向7nm乃至5nm节点，传统方法因规则局限、优化自由度不足等制约，难以满足复杂芯片设计的高要求。在此背景下，反向光刻技术（ILT）以其独特的优化思路应运而生。

ILT即从目标芯片图案出发，逆向推导获得最优化掩模图案，极大地提升优化的灵活性和精准度，更能满足先进制程对图形精度的苛刻需求。因此，在探索7nm及以下制程的征途中，ILT技术无疑将是提升制造良率的关键技术。尤其在尖端光刻设备受限的国内环境下，其重要性更是不言而喻。
东方晶源ILT技术再度革新

ILT并非一种新兴技术，但其存在诸如计算量大效率低，掩模复杂度高难于制造等技术难点，长期以来尚未得到广泛应用。作为探索ILT技术的先驱之一，东方晶源ILT采用GPU集群高性能计算解决方案，解决了计算量大的难题，率先实现了全芯片级别的基于ILT技术的掩模优化。面对7/5nm等先进制程的迫切需求，近期东方晶源ILT解决方案又成功攻克众多技术难题，包括优化收敛性、结果一致性、人工智能加速、掩模复杂度重整化等，目前正在国内各大Fab厂商加紧验证。

革新后的东方晶源ILT解决方案其主要特点及优势体现在以下几个方面：
01

独创的混合掩模优化方法，显著降低计算复杂度，提升整体计算效率，特别是在优化辅助曝光信号的同时考虑三维掩模效应，提供更为精准的掩模结果。
02

引入人工智能技术进一步解决ILT所需运算时间长的弊端，其深度学习模型预测结果与ILT计算结果相似度高达95%，同时获得近十倍的提速。
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支持矩形图形（Rectangle）、曼哈顿图形（Manhattan）以及曲线图形（Curvilinear）的不同复杂度掩模设计，适应不同客户及应用场景需求。

人工智能赋能东方晶源全芯片ILT解决方案

PanGen ILT^®支持生成不同复杂度的掩模图形

PanGen ILT^®结果相比传统OPC结果工艺窗口增大超过10%

展望
东方晶源自2014年成立以来，在计算光刻领域持续创新，构建了全面且领先的技术体系，旗下计算光刻平台PanGen^®已经形成八大产品矩阵，包括Model、DRC、SBAR、OPC、LRC、DPT、SMO、DMC，具备完整的计算光刻相关EDA工具链条，并已在国内各大Fab厂商广泛应用，量产掩模超6000张。随着ILT解决方案的不断革新，其在效率和性能上的优势更加突显，必将在先进制程研发和应用中发挥重要作用，在提升良率、降低生产成本方面展现出独特的价值。展望未来，东方晶源将持续坚持技术创新，提供卓越的解决方案，为我国半导体产业的发展和进步贡献智慧和力量。

【近期会议】

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