9月26日，SK海力士宣布全球率先开始量产12层HBM3E新品，实现了现有HBM产品中最大的36GB（千兆字节）容量。

据悉，SK海力士将在年内向客户提供产品，距其今年3月全球率先向客户供应8层HBM3E，仅时隔6个月。

SK海力士表示，12层HBM3E在面向AI的存储器所需要的速度、容量、稳定性等所有方面都已达到全球最高水平。率先成功量产12层堆叠产品，不仅满足了人工智能企业日益发展的需求，同时也进一步巩固了SK海力士在面向AI的存储器市场的领导者地位。

此外，SK海力士还堆叠12颗3GB DRAM芯片，实现与现有的8层产品相同的厚度，同时容量提升50%。为此，其将单个DRAM芯片制造得比以前薄40%，并采用硅通孔技术（TSV）技术垂直堆叠。同时应用先进MR-MUF工艺，使放热性能较上前一代提升了10%，并增强了控制翘曲问题，从而确保了稳定性和可靠性。

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