来源：Silicon Semiconductor

新的 IP 结合了 Flash 和 EEPROM 元素，可增强数据保留能力并实现一流的运行可靠性。

X-FAB Silicon Foundries 在 NVM 数据存储领域推出了一项重大创新，该创新借鉴了该公司一流的 SONOS 技术。X-FAB 在其高压 BCD-on-SOI XT011 平台上制造，可为客户提供符合 AECQ100 Grade-0 标准的 32kByte 容量嵌入式闪存 IP，以及额外的 4kbit EEPROM - 全部采用 110nm 半导体工艺节点实现。计划从 2025 年开始推出更大的 64 和 128kByte 闪存和更大的 EEPROM。

通过采用独特的方法，闪存和 EEPROM 元件都位于单个宏内，并共享必要的控制电路。这意味着可以实现更简单的布置，从而缩小组合元件的整体占用空间，并为 0 级、1750C 级、32KB 存储解决方案树立新的行业标杆。 

该闪存为客户提供了市场上最先进的数据访问能力，能够在 -40°C 至 175°C 的整个温度范围内读取数据，而 EEPROM 也能够在高达 175°C 的温度下写入数据。EEPROM 非常适合需要更频繁写入的应用，从而提高闪存的耐用性和灵活性。它还可以有效地充当缓存，在操作条件不适合写入闪存时，将数据编程到其中，然后当温度降至 125°C 以下时再写入闪存。由于结合了出色的稳健性特性、持续的数据存储完整性和显著的空间节省，该 IP 旨在满足汽车、医疗和工业应用的要求。

新的 NVM 组合 IP 具有 64 位总线，其中闪存元件具有 8 位 ECC，EEPROM 元件具有 14 位 ECC。这使得集成该 IP 的部署设备能够实现零 PPM 错误性能。专用电路便于内存访问和 DFT，可大幅缩短测试时间，并最大程度降低相关成本。如有需要，X-FAB 还可提供 BIST 模块和测试服务。

“通过这款利用我们专有的 SONOS 技术的新型 NVM IP，X-FAB 实现了最高水平的可靠性。这款 IP 将为我们的客户提供一流的嵌入式系统数据保留和温度稳定性，”X-FAB NVM 开发总监 Thomas Ramsch 解释道。“通过将两个不同的 NVM 元素整合到一个宏中，一个是 Flash，另一个是 EEPROM，我们现在可以提供能够应对最困难的操作情况的嵌入式数据存储解决方案。” 

X-FAB NVM 解决方案技术营销经理 Nando Basile 补充道：“通过减少占用空间和加快访问时间，我们的 NVM 组合 IP 将成为高逻辑内容应用开发的关键。”这将使下一代智能传感器和执行器 CPU 系统设计具有更大的功能范围——无论是在成熟的 CPU 架构上，如 ARM 或 RISC-V，还是在客户的专有设计上。”

原文链接：https://siliconsemiconductor.net/article/120701/X-FAB_releases_Embedded_Flash_solution