2025/1/8 16:15:02
亚洲大学Oil Kwon教授团队开发的新型非晶半金属纳米超薄材料半导体器件。（图片由亚洲大学（Ajou University）提供）
韩国研究团队开发出一种突破性的非晶态半金属材料，其特性不同于传统金属，为下一代半导体技术的进步铺平了道路。
1月3日，由亚洲大学智能半导体工程与电子工程系教授权毓仁 (Oil Kwon) 带领的研究人员宣布，他们通过国际合作成功创造出一种超薄非晶态半金属材料。
传统金属的电阻率会随着厚度的减小而增大，而新材料则不同，随着厚度的减小，电阻率会减小。
半导体制造领域的变革者
这种名为拓扑半金属的新型材料与当前的半导体制造工艺高度兼容。其生长温度低至 400°C 以下，无需高温工艺，因此可以轻松集成到现有系统中。
尽管该材料具有非晶结构，缺乏传统薄膜金属的晶体特性，但仍保留了优异的导电性。
这一进展解决了采用新型半导体互连材料的两个关键挑战：与当前制造工艺的兼容性以及在低温条件下运行的能力，从而最大限度地减少对半导体器件的潜在损坏。
迈向商业化
研究团队目前正在开发一种用于该材料的原子层沉积 (ALD) 工艺。ALD 以其在原子级控制薄膜厚度的精度而闻名，被视为将该技术商业化用于高度微型化半导体器件的关键一步。
“这项研究代表着一项重大突破，因为它通过实验验证了一种前所未有的全新材料，”Kwon教授说。“这种新材料可以成为未来半导体技术的颠覆性解决方案，突破现有材料的局限性，提供无限的应用。”
国际合作与认可
这项研究由斯坦福大学 Eric Pop 教授和 Asir Intizar Khan 博士等研究人员合作开展，发表在著名期刊《科学》1 月刊上，题为“超薄非晶态 NbP 半金属中的表面传导和降低的电阻率”。
亚洲大学的研究人员专注于材料合成、机理和特性研究，而斯坦福大学的团队则致力于材料合成及其电气特性分析。
这项创新使韩国在开发半导体行业尖端材料方面处于领先地位，为解决未来器件的技术挑战提供了潜在的飞跃。
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