据报道，铠侠控股近日召开经营方针说明会，称计划在五年内将产能翻一番，预计2026年生产出下一代NAND闪存。

铠侠表示，计划通过扩大其四日市工厂和北上工厂的生产线，到2029财年将产能较2024财年提高一倍，以满足AI数据中心对NAND闪存日益增长的需求。

同日，该公司公布了其中长期经营计划，北上市第二生产基地大楼将于9月落成，并将引入新设备以提升产能，计划在2026年3月实现其销售额超过现有产品。

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