2025年11月20-21日，全球居先的综合电子元器件制造商村田中国（以下简称“村田”）将亮相于成都中国西部国际博览城召开的“2025集成电路发展论坛（成渝）暨三十一届集成电路设计业展览会（ICCAD 2025）”，展位号：【D106】。此次大会，村田将重点关注未来高性能AI发展，着力为高速高频设计挑战提供更多小型化、高性能的元器件产品和解决方案，集中展示在集成电路领域的前沿技术和解决方案。

随着人工智能技术的迅速发展和算力需求的持续攀升，AI芯片的市场规模正迅速扩大。根据德勤中国今年发布的《技术趋势2025》（https://www.deloitte.com/content/dam/assets-zone1/cn/zh/docs/industries/technology-media-telecommunications/2025/deloitte-cn-tech-trends-2025-en-250225.pdf）报告，全球AI芯片市场增长迅猛，到2027年，预计市场规模将增长至4000亿美元，保守预估也将达1100亿美元。AI芯片的高速发展对集成电路设计也提出了更高的要求。如何优化和创新芯片中的多类元器件，使其能够满足AI应用日益增长的计算、能效和稳定性要求，正成为行业聚焦的重点。

本次展会，村田将带来多款业内居先的电子元器件产品及解决方案，持续助力行业解决因AI芯片性能提高而产生的多种设计挑战，推动集成电路产业向更优效、更小型化、更稳定的方向发展。

l低ESL（UESL）硅电容

村田低ESL硅电容，特别适用于封装内去除高频反谐振点的去耦和PDN设计优化，非常适合AI服务器HPC、用于前沿深度学习的加速发展高规格GPU等应用场景。该系列具有低ESL、ESR和多端子设计，能够降低PDN在高频下的阻抗，支持多电源域的去耦，3D结构实现电容分布的灵活性。目前，该系列产品已成功应用于一些旗舰机的APU，以及HPC的部分PDN设计参考中。

l多层陶瓷电容器（MLCC）

村田此次带来多款MLCC产品，涵盖长宽倒置电容（LLL）、三端子电容（NFM），小型化大容量电容等产品，可应用于AI服务器、交换机、汽车等多种场景。村田的长宽倒置型低ESL MLCC不仅具有220μm以下的低厚度特点，而且低ESL特性对电路PDN 设计有着很大的帮助，因此非常适合芯片背贴使用。而3端子电容则能有效解决板级或芯片内部空间问题，减少电容使用数量，提升电路性能。此外，村田的大容量化措施让村田成功成为业内率先实现0603（1.6x0.8mm）/X6/100μF产品量产的厂商。村田的MLCC以丰富的产品线和行业居先的技术实力助力多类设备向小型化、高性能、高稳定性发展，从而有效解决行业痛点，推动行业飞跃式发展。

l村田集成封装解决方案

利用村田的专有技术，结合聚合物电容与多层基板技术生产工艺所研发，容值密度高，厚度薄，专有的通孔设计可实现芯片或电源模块的垂直供电。同时，具备稳定性高、无直流偏置和温漂的特点。区别于传统电容布局，村田的集成封装解决方案在优化PDN阻抗的同时，为高性能计算等领域应用的紧凑化设计提供更多可能性。非常适合服务器、GPU、AI加速卡等应用。

展会现场，村田还将展出包括多层LCP产品在内的多样化产品。除此之外，村田也将在展会期间参与“IC设计与创新应用”大会，并带来主题演讲——《AI与汽车电子领域的精良封装IC(PDN)设计与解决方案》。届时，村田中国产品工程师李丹钰女士将分享村田在人工智能和车载电子领域的PDN优化经验和前沿封装设计思路，为与会者带来关于PDN技术的专业洞察。

村田将持续通过技术积累及实践，助力集成电路设计优化，为行业提供多元解决方案。欢迎各界人士莅临村田展位，亲身体验前沿科技，共同探索行业新篇。