2020/12/16 16:33:33
—— 新型预湿工艺和脉冲局部电镀技术实现无孔洞、高深宽比硅通孔电镀填充
● 堆叠式腔体设计
● 减少耗材使用
● 降低成本
● 节省工厂使用面积
● 高性能、无孔洞
作为半导体制造与先进晶圆级封装领域中领先的设备供应商，盛美半导体设备近日发布了应用于填充3D硅通孔（TSV）的硅通孔电镀设备Ultra ECP 3d。借助盛美半导体电镀设备的平台，该设备可为高深宽比（H.A.R）铜应用提供高性能、无孔洞的镀铜功能。
3D TSV 设备市场前景
据行业研究公司Mordor Intelligence称：“3D TSV 设备市场在2019年已达到28亿美金，并且在2020 - 2025年的复合年增长率为6.2%的条件下，到2025年，该市场将达到40亿美金。”使用TSV设备的关键市场主要包括成像、存储、微机电系统以及光电子学等。
盛美半导体设备董事长王晖表示：“众多因素推动了3D TSV市场的增长，从器件小型化到人工智能和边缘计算，这些应用要求在更高密度的封装中有更强的处理能力，这就加速了硅通孔技术的工业采用。”
王晖博士还提到：“在跟客户的合作中，我们已经成功地展示了该硅通孔电镀设备填充高深宽比通孔的能力。除了为提高产能而做的堆叠式腔体设计，该设备还能减少耗材的使用，降低成本，节省工厂里宝贵的使用面积。”
在高深宽比硅通孔由下而上的填充过程中，铜电解液浸入电镀液的时候，必须完全填充通孔，不能滞留任何气泡。为了加速这一过程，我们采用了一体化预湿步骤。
这种先进的技术解决方案可以在制造工艺中保证更高的效益、电镀效率和产能。该应用于3D TSV的Ultra ECP 3d设备配有10个腔体，应用于300mm，集成预湿、镀铜和后清洗模块于一体，尺寸仅宽2.2米、深3.6米、高2.9米。
盛美半导体设备最近已交付第一台Ultra ECP 3d设备给中国的关键客户，并开始正式进行3D TSV和2.5D 转接板镀铜应用的验证。
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