盛美半导体设备拓展了立式炉半导体设备产品组合以支持逻辑、存储器和功率器件制造工艺的更多应用

可灵活配置的炉管工艺系统拓展了非掺杂和掺杂多晶硅LPCVD、高温氧化和退火功能

作为半导体制造与先进晶圆级封装领域中领先的设备供应商，盛美半导体设备近日宣布，为其不断发展的300mm Ultra Fn立式炉干法工艺设备产品系列，增加了以下半导体制造工艺：非掺杂的多晶硅沉积、掺杂的多晶硅沉积、栅极氧化物沉积、高温氧化和高温退火。

盛美先前已发布了应用于氧化物、氮化硅（SiN）低压化学气相沉积（LPCVD）和合金退火工艺功能的立式炉系统，基于该可配置的立式炉平台，盛美开发了上述新功能。支持这些新应用的立式炉设备现已交付或预计陆续于2021年上半年内交付到客户端。

“我们的战略始终是找到半导体制造行业中具有高增长潜力的市场和应用，并且与我们的客户合作，开发出先进技术来解决这些问题。”盛美半导体设备董事长王晖表示：“现在，我们能够进行80％以上的批式热工艺，包括用于SiN，HTO的LPCVD工艺，非掺杂多晶硅和掺杂多晶硅沉积，栅极氧化物沉积工艺，高达1200摄氏度的超高温氧化和退火工艺。 这一新产品线的迅速导入，也进一步证明了我们与核心客户合作战略的成功。"

随着半导体器件体积的不断缩小和复杂度的增加，Ultra Fn系统的设计始终是为了寻求满足客户需求的最佳解决方案。 当今的器件设计的高复杂度、微小几何尺寸，对热工艺的温度控制的均一性与稳定性提出了高要求，这对晶圆良率至关重要。为了满足这些要求，Ultra Fn加热器开发了独有的控制算法，使该平台具有稳定的温度控制性能。

盛美对其可灵活配置的Ultra Fn设备进行了功能扩展，仅对部分模块和布局进行了一些更改即可适用于这些新工艺应用。该可配置的系统设计，与盛美现有的氧化物、氮化物沉积系统大部分硬件可通用，从而降低了总成本。 该系统可便捷地更换组件，以实现不同客户的定制化工艺需求。

盛美的第一台SiN LPCVD已于2020年初交付给一家重要的逻辑制造客户，并在该工厂进行了大规模量产验证。 同时，另一台微托级超高真空功能的合金退火工艺立式炉设备已于2020年底交付给一家功率器件制造客户，并已完成生产能力的验证。而此次发布的其他新功能的设备也陆续开始在客户端进行测试，预计在2021年内取得验证结果。