安森美EliteSiC M4进一步提升功率密度，应对持续增长的电力需求

基于沟槽架构的第四代碳化硅平台降低损耗，助力AI、电动汽车和能源应用实现更紧凑的电源系统

摘要

安森美（onsemi）推出基于沟槽架构的第四代碳化硅平台EliteSiC™ M4。与上一代相比，该平台有助于将功率密度提升达30%，损耗降低达35%。EliteSiC M4进一步提升导通和开关性能，有助于实现更高效率、更高功率密度的AI数据中心、电动汽车及能源基础设施系统。

新闻要点：

· EliteSiC™ M4以更高的功率密度和更低的损耗，助力客户提升性能和效率，同时优化系统尺寸与热管理

· 延续安森美在碳化硅领域经过验证的领先优势，全球搭载安森美碳化硅产品的车辆已经过实际上路验证，累计行驶里程超过160亿英里

· EliteSiC™ M4 750 V汽车牵引裸片现已供货，更多电压规格预计于2027年推出，最高可达1200 V

中国上海，2026年11月11日——安森美（onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON）今日推出EliteSiC™ M4第四代碳化硅（SiC）平台，旨在为下一代电源系统树立新的性能标杆。EliteSiC M4凭借业界领先的导通和开关性能，为客户提供更大的设计自由度，可将功率密度和效率提升达30%，损耗降低达35%，从而赋能更高效率、更高功率密度的电动汽车、AI数据中心和工业应用系统。

“电力需求的增长速度超过相关物理基础设施的扩展速度。下一代电源系统需要在更小空间内，以更高效率输送更多电力，”安森美电源解决方案事业群总裁Achyut Shah表示，“全球搭载安森美碳化硅产品的车辆已经过实际上路验证，累计行驶里程超过160亿英里。EliteSiC M4在这一可靠性基础上，进一步提供客户所需的性能，帮助他们重新优化功率、效率、尺寸与成本之间的权衡。”

在现实工况约束下，实现更高功率输出

AI、电气化和能源基础设施的发展，给电源系统设计人员带来了一个共同挑战：在显著提升功率的同时，避免系统尺寸、能量损耗和冷却需求同比例增加。EliteSiC M4解决了这一挑战，无需大幅改变现有系统条件，也能提升功率和效率，为客户扩展AI基础设施、电动汽车和工业系统提供更大的灵活性。

在主要目标市场中，EliteSiC M4将这些技术进步转化为明确的系统级优势：

· AI数据中心：提升算力规模，而无需同比例扩展电力基础设施。更高功率密度的电力转换可帮助数据中心从每一兆瓦电力中获得更多算力，在最大限度提升容量的同时，减少单位算力所需的配套基础设施。

· 电动汽车：释放电驱动系统的更高性能。更紧凑、更高效的牵引逆变器可帮助汽车制造商增加车辆续航里程。

· 能源基础设施：充分利用每一单位能源。更高效率、更高功率密度的电力转换有助于降低光伏、储能及其他高压系统的转换损耗。

“随着车辆功率不断提高，如何兼顾牵引逆变器的效率、热性能、功率密度和可靠性，也成为越来越大的设计挑战，”舍弗勒集团（Schaeffler AG）电机控制业务副总裁Harald Hartel表示，“更高的效率和功率密度可以为我们提供更大的设计灵活性，从而针对续航里程、热性能和空间布局进一步优化牵引逆变器。随着电动化动力总成的要求不断提高，这些因素也日益重要。”

面向更高功率密度和效率的新架构

EliteSiC M4提升导通和开关性能，同时不牺牲可靠性。与上一代相比，主要改进包括：

· 比导通电阻（RSP）改善：比导通电阻降低20%至50%，同时支持更快的开关速度

· 开关损耗更低：开关品质因数在硬开关条件下提升67%，在软开关条件下提升50%，从而支持紧凑型电源设计

· 广泛的封装灵活性：支持现有封装，包括顶部冷却表面贴装封装和大功率模块

· 面向严苛应用的高可靠性：该平台面向严苛运行环境设计，支持185°C及以上温度的认证要求，可用于高压汽车和航天应用