来源：北京科技大学 

近日，北京科技大学与新紫光集团签约战略合作协议。双方将聚焦先进制程

集成电路的前瞻技术和关键核心技术研究，开展科技创新、成果转化、人才培养等全方位合作，共同打造集成电路领域的未来科学与技术战略高地。

7月11日，“中国半导体行业协会2024（第十六届）半导体市场年会暨紫光集团品牌焕新发布会”在京举办。会上，进行了学校与新紫光集团的战略合作协议签约仪式，新紫光集团董事长李滨，联席总裁陈杰、胡冬辉；学校党委书记武贵龙，中国科学院院士、发展中国家科学院院士、新金属材料国家重点实验室主任、前沿交叉科学技术研究院院长张跃，副校长张卫冬出席了签约仪式。

本次战略合作是在前沿交叉科学技术研究院张跃院士团队与紫光集团长期深入合作基础上，进一步聚焦先进制程集成电路的前瞻技术和关键核心技术研究，开展科技创新、成果转化、人才培养等全方位合作；主要包括共同建设“二维材料与器件集成技术联合研发中心”“8英寸二维半导体晶圆制造与集成创新中心”等高水平研发平台，重点开展二维半导体材料与器件的规模化制备工艺和芯片设计制造等方面的产学研合作，在二维半导体材料制备、关键装备研发、集成制造工艺技术等方面协同攻关，共同打造集成电路领域的未来科学与技术战略高地。

签约仪式后，张跃院士作了题为《后摩尔时代的“芯”之路——1nm制程二维半导体晶圆制造与芯片集成》的主题演讲。演讲中，张院士深入剖析了后摩尔时代我国集成电路产业发展面临的困境和突围的方向，全面总结了在突破集成电路尺寸极限上全球学术界和产业界的探索与实践，明确提出了二维半导体材料是未来先进制程集成电路最具竞争力新材料体系的科学判断，结合团队在中国科学院学部前沿交叉研判项目中取得的调研成果和在二维半导体材料的硅基融合技术路线验证方面取得的研究成果，指出面向1nm制程的二维半导体材料与芯片集成制造技术是我国破局卡脖子问题，实现换道超车的重要机遇。

张跃院士表示，相信通过与新紫光集团战略合作，共同建设“8英寸二维半导体晶圆制造与集成创新中心”，将进一步探索产学研深度融合的新模式，加速打造我国自主可控的先进制程集成电路二维半导体材料新赛道。

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