来源：Silicon Semiconductor

SI Sensors——先进成像技术开发商，在高速成像领域推出了一项“突破性”进展：将电荷耦合器件 (CCD) 技术集成到互补金属氧化物半导体 (CMOS) 图像传感器中。

这种称为“CCD-in-CMOS”的创新方法大大增强了突发模式成像的能力，能够以“前所未有”的速度和灵敏度实现超快的捕捉速度。

这项新颖的 CCD-in-CMOS 技术由该公司位于英国剑桥的研发中心开发，结合了 CCD 和 CMOS 传感器的最佳属性。CCD 能够在电压转换和随后的数字化之前将信号存储在电荷域中。正是这些信号转换限制了传统图像传感器的帧捕获速度。相比之下，CMOS 技术有利于实现片上系统架构，该架构可在同一芯片上集成附加电路，从而降低整体系统成本和复杂性。通过将 CCD 存储器与 CMOS 光电二极管和读出电路相结合，这种混合技术可以在超高速下实现卓越的图像质量，非常适合需要超高速图像捕获和分析的应用。

SI Sensors 总经理 Phil Brown 表示：“我们相信，我们创造超高速突发模式器件的能力将彻底改变高速成像。新一代 CCD-in-CMOS 图像传感器能够以全分辨率每秒记录数百万帧，具有出色的捕捉速度和高信噪比，确保以清晰、详细的图像呈现最快的可观察事件。我们的 CCD-in-CMOS 技术适用于从高速视频记录到高光谱成像等各种成像应用，通过先进的原位存储、控制和读出机制实现高效的数据处理，从而降低系统复杂性”。

原文链接：

https://siliconsemiconductor.net/article/120801/CCD-in-CMOS_technology_enables_ultra-fast_burst_mode_imaging

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