BusinessNews
  • 首页
  • 英文版
  • 电子读物
    • 期刊
    • 焦点
  • 晶芯研讨会
  • 白皮书
  • 人才对接
  • 采购供需
  • 多媒体
    • 视频
    • 图集
  • 媒体信息
    • 投稿指南
    • 2026年媒体信息
  • 关于我们
    • 联系我们
    • 加入我们
  • 捷径:
  • 新闻动态
  • 采访报道
  • 制造与封装
  • 设计与应用
  • 设备与材料
  • 产业与市场
  • 产品特写
  • 展会与活动

当前位置:

     首页 > 新闻资讯  > 产品特写

联发科首款台积电2nm旗舰SoC完成流片,预计2026年底量产

2025/9/16 15:31:29

自联发科官网获悉,9月16日,联发科技宣布,公司首款采用台积电2nm制程的旗舰系统单晶片(SoC)已成功完成设计定案(tape out),成为首批采用该技术的公司之一,并预计明年底进入量产。

联发科表示,与台积电一直以来持续在旗舰移动平台、运算、车用、数据中心等应用领域,一同打造兼具高效能与低功耗的晶片组,而此次合作更象征双方坚实伙伴关系的全新里程碑。

据悉,台积电的2nm制程技术首次采用能够带来更优异的效能、功耗与良率的纳米片(Nanosheet)晶体管结构。联发科技首款采用台积电全新2nm制程的芯片预计于2026年年底上市。

台积电的强化版2nm制程技术与现有的N3E制程相比,逻辑密度增加1.2倍,在相同功耗下效能提升高达18%,并能在相同速度下功耗减少约36%。

台积电业务开发、全球业务资深副总经理暨副共同营运长张晓强博士表示,台积电的2nm技术标志着进入纳米片时代的重要一步,展现了我们为满足客户需求所付出的不懈努力,通过持续调整和提升我们的技术,提供高效能的计算能力。与联发科技持续合作,旨在最大化提升性能与能效,覆盖广泛的应用领域。




声明:本网站部分文章转载自网络,转发仅为更大范围传播。 转载文章版权归原作者所有,如有异议,请联系我们修改或删除。联系邮箱:viviz@actintl.com.hk, 电话:0755-25988573

上一篇:昀冢科技拟募资投向芯片插入集成(CMI)元件技改扩建项目等

下一篇:AMD 推出 EPYC™ 嵌入式 4005 处理器,助力低时延边缘应用

相关资讯

Swagelok用于ALD的超高纯度阀门

2020/4/6 16:01:07

183

美光交付面向智能手机的低功耗DDR5 DRAM芯片

2020/2/6 21:27:23

183

BrewerBOND 双层临时键合系统和 BrewerBUILD 材料

2018/9/11 16:51:27

183

全新TIM材料应对电子行业百年散热难题

2018/7/14 12:22:37

183

本期内容

2025年 12月/2026年 1 月

订阅期刊

过刊查询

efocus

赞助商

友情链接
回到顶部

Copyright© 2026:《半导体芯科技》; All Rights Reserved.      粤公网安备 44030402004707号   粤ICP备12025165号-7     服务条款     隐私声明