2018/8/6 11:13:42
东芝开发出散热性能更强的40V N沟道功率MOSFET
- 新封装提供双面散热，有效改善散热。
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）将启动面向汽车应用的40V N沟道功率MOSFET——“TPWR7904PB”和“TPW1R104PB”的量产和出货。其采用双面散热、低电阻、小型DSOP Advance(WF)封装。
这些新产品在“DSOP Advance”(WF)封装中安装U-MOS IX-H系列芯片——采用最先进沟槽结构的MOSFET，实现高散热性和低导通电阻特性。导通损耗所产生的热量得到有效消散，因此散热设计灵活性得到提高。
与东芝之前的U-MOS IV系列相比，U-MOS IX-H系列还实现了更小的开关噪声，有助于降低电磁干扰(EMI)[1]。
“DSOP Advance(WF)”封装采用可沾锡侧翼端子结构[2]。
应用场合
- 电动助力转向系统
-
负载开关
- 电动泵
特点
- 符合AEC-Q101标准，适用于汽车应用场合
- 采用顶板(top plate)[3]和漏极的双面散热封装
- 可沾锡侧翼结构有助于提高AOI可见性
-
U-MOS IX-H系列具备低导通电阻和低噪音特性
主要规格 | ||||||||||||||
| (@Ta=25 ℃) | ||||||||||||||
| 产品 型号 | 绝对 最大额定值 | 漏源极 导通电阻 RDS(ON)最大值(mΩ) | 栅源极 之间 内置 稳压二极管 | 系列 | 封装 | |||||||||
| 漏 源极 电压 VDSS (V) | 漏极 电流 （直流） ID (A) | |||||||||||||
| @VGS＝6 V | @VGS=10 V | |||||||||||||
| TPWR7904PB | 40 | 150 | 1.3 | 0.79 | 否 | U-MOSⅨ-H | DSOP Advance(WF)L | |||||||
| TPW1R104PB | 120 | 1.96 | 1.14 | DSOP Advance(WF)M | ||||||||||
注：
[1] EMI（电磁干扰）
[2]
可沾锡侧翼端子结构：一种端子结构，支持在电路板上进行安装的自动光学检测(AOI)。
[3] 请注意，该顶板与源极电势相同，但不能用于电极。
有关东芝MOSFET产品阵容的更多信息，请访问如下链接：
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet.html
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